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RDD020N60TL |
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | Rohm Semiconductor | 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923 询价QQ：  |
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RDD020N60TL参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 包装数量：2500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：600V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：- 功率 - 最大值：20W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 电阻器网络，阵列RAVF104DFT15K0 通孔电阻器40J1R5E Card EdgeEMC08DRTH-S734 陶瓷电容器K271J15C0GH53H5 接口 - 专用GS2974BCNE3 模块DC-500-012 保险丝 - 电气，170M3119 评估板 - DC/STEVAL-ISA044V2 数据采集 - 数模MX7547KCWG DC DC ConVE-B12-MU |
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